石墨坩堝半導體碳化硅單晶材料的發展添加時間：2017/07/07
摘要：本文回顧了半導體碳化硅(SiC)單晶材料的發展史，簡單介紹了半導體SiC單晶材料的結構與性質，對物理氣相傳輸法(PVT)制備SiC單晶做了描述，詳細介紹了SiC單晶中的微管、多型和小角晶界等重要缺陷，同時對SiC單晶材料的發展趨勢進行了展望。
關鍵詞：半導體;SiC單晶;物理氣相傳輸法;缺陷;
1引言
以硅(Si)、砷化鎵(GaAs)為代表的第一代和第二代半導體材料的高速發展，推動了微電子、光電子技術的迅猛發展。然而受材料性能所限，這些半導體材料制成的器件大都只能在200℃以下的環境中工作，不能滿足現代電子技術對高溫、高頻、高壓以及抗輻射器件的要求。作為第三代寬帶隙半導體材料的代表，碳化硅(SiC)單晶材料具有禁帶寬度大(~Si的3倍)、熱導率高(~Si的3.3倍或GaAs的10倍)、電子飽和遷移速率高(~Si的2.5倍)和擊穿電場高(~Si的10倍或GaAs的5倍)等性質[1-2]，如表1所示。SiC器件在高溫、高壓、高頻、大功率電子器件領域和航天、軍工、核能等極端環境應用領域有著不可替代的優勢[3-7]，彌補了傳統半導體材料器件在實際應用中的缺陷，正逐漸成為功率半導體的主流。
摘要：本文回顧了半導體碳化硅(SiC)單晶材料的發展史，簡單介紹了半導體SiC單晶材料的結構與性質，對物理氣相傳輸法(PVT)制備SiC單晶做了描述，詳細介紹了SiC單晶中的微管、多型和小角晶界等重要缺陷，同時對SiC單晶材料的發展趨勢進行了展望。
